设备特性
晶圆表面等离子损伤小;
支持常规厚度晶圆和Taiko薄片晶圆去胶;
去胶速率快，产能高，MTBC长;
基于windows 系统开发软件，UI界面友好;
产品应用
晶圆尺寸: 6/8 英寸兼容
适用材料: 正负光刻胶, PI 等；
适用领域: 集成电路、功率半导体、化合物半导体
技术指标
光刻胶去胶速率≥7μm/min
碳膜刻蚀速率：≥1500Å/min
低温去胶速率：≥400nm/min（@120℃）
去胶速率均匀性＜±5%
颗粒控制：≥0.2um的颗粒≤30颗
腔体温度范围 60℃~300℃
腔体底压≤10mTorr，腔体漏率≤5mTorr/min
设备的正常运行时间≥90%；
平均无故障工作时间(MTBF)≥350小时；
平均修复时间(MTTR)≤4小时
平均保养间隔时间(MTBC)≥1000 RF hours；
晶圆破片率Wafer Breakage≤1/2000 片
硬件规格：
气体质量流量计（MFC）精度：≤±1% ，响应速率≤300ms
气体：O2、N2、CF4、C2F6、4%H2/N2、Ar
电感耦合等离子源：功率:3KW，功率可调，频率13.56MHz
干泵抽速：1200m3/h；
